EUV光刻机的技术难点主要包括三大方面：曝光工具、掩膜和光刻胶，其中曝光工具包括EUV光源和光学系统；掩膜类似胶片相机的底片。
EUV光源透过掩膜，形成图案化的EUV光线，然后落到晶圆上；晶圆上涂有称为光刻胶的光敏化学物质，光刻胶遇到EUV会起化学反应，可以用来蚀刻晶圆。
在曝光工具反面，ASET需要开发的不仅仅包括光源和光学系统，也包括其他很重要的部分，比如晶圆和掩膜的机械对准技术，它需要在0.5nm的误差范围内，对准晶圆和掩膜。
面对第一阶段艰难的项目进程，ASET选择将有限的资源集中在光学系统方面，但是对于项目最难的部分EUV光源，ASET决定将这部分外包给了一个2001年新成立的研究组织：极紫外光刻系统开发协会（EUVA）。
在第一阶段，ASET还专门研究了EUV光刻胶，EUV光刻胶的主要难点与EUV光的高吸收性有关，对于传统的光刻胶，EUV光只能深入光刻胶层约700埃（10埃等于1nm），这低于EUV实际应用的要求；所以传统的光刻胶是没法用的，因此ASET必须开发一种新的光刻胶。
第一阶段的掩膜研究也很难，掩膜类似底片，上面包含了芯片设计图案，ASET需要开发新的掩膜制造技术，来保证能生产无缺陷的EUV光刻掩膜，而且除了掩膜的生产，掩膜的缺陷检测也是一项难度很大的研究课题，需要使用EUV光本身来进行检测，这在光刻机领域有个专门的术语叫做光化。
日本通商产业省决定为这一课题专门成立了下一代半导体曝光工艺基础技术开发（MIRAI）的研究机构。
EUV光刻技术是一个典型的跨学科多领域的技术综合体，单独的研究机构几乎不可能全部掌握这项技术。
由于这个项目的难度很大，整个项目一直在延期，到了2005年，MIRAI已经研究出了能够检测因空白缺陷而散射的EUV光化检测工具，但是曝光工具部分还在研究过程中，这一部分的工作落在了尼康和佳能身上。
由于项目严重延期，所以日本经济产业省（原日本通商产业省2001年更名）决定更改项目计划，计划5年后的2010年实现EUV光刻技术的商业化，并达到28nm工艺制程，但是，要想实现EUV光刻机的商业化，佳能和尼康就必须在2008年或2009年之前完成EUV试验样机的研制，否则这个目标根本就不可能实现。
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